ILD211T
Dekri teren
Karakteristik teknik
Pwodwi ki gen rapò:
|
Mfr Part |
ILD211T |
|
Deskripsyon |
OPTOCOUPLER, FOTOTRANSISTÈ SOTI |
|
Stock |
80000 |
|
Estati pwodwi |
Aktif |
|
Voltage - Izolasyon |
3750Vrms |
|
Pwopòsyon transfè aktyèl (min) |
20% @ 10mA |
|
Pwopòsyon transfè aktyèl (Max) |
- |
|
Limen / Etenn Tan (Tip) |
3µs,3µs |
|
Kalite Antre |
DC |
|
Kalite Sòti |
Tranzistò DC |
|
Voltage - Sòti (Max) |
80V |
|
Kouran - Sòti / Chèn |
- |
|
Voltage - Avant (Vf) (Typ) |
1.3V |
|
Kouran - DC Forward (Si) (Max) |
60 mA |
|
Tanperati Fonksyònman |
-55 degre ~ 110 degre |
|
Pake / Ka |
SOP8(3.9x1.27) |
|
Pake |
Tap & Bobine (TR) |
Deskripsyon jeneral:
ILD205T, ILD206T, ILD207T, ILD211T, ak ILD213T yo se pè optik makonnen ak yon LED enfrawouj GaAs ak yon fototransistor Silisyòm NPN. Enfòmasyon siyal, ki gen ladan yon nivo DC, ka transmèt pa aparèy la pandan w ap kenbe yon wo degre de izòlman elektrik ant opinyon ak pwodiksyon. ILD205T, ILD206T, ILD207T, ILD211T, ak ILD213T vini nan yon estanda SOIC-8 ti pake deskripsyon pou aliye sifas ki fè li pi apwopriye pou aplikasyon pou gwo dansite ak espas limite. Anplis de sa nan elimine egzijans twou yo, pake sa a konfòm ak estanda pou aparèy ki monte sifas yo.
Yon minimòm ak maksimòm CTR espesifye pèmèt yon tolerans etwat nan konsepsyon elektrik la nan sikwi adjasan yo. BVCEO segondè nan 70 V bay yon maj sekirite ki pi wo konpare ak estanda endistri a nan 30 V.
Baj popilè: ild211t, Lachin ild211t manifaktirè, founisè
Voye rechèch
Ou ka renmen tou
