H11AG3M
Dekri teren
Karakteristik teknik
Pwodwi ki gen rapò:
|
Mfr Part |
H11AG3M |
|
Deskripsyon |
OPTOCOUPLER, FOTOTRANSISTÈ SOTI |
|
Stock |
80000 |
|
Estati pwodwi |
Aktif |
|
Voltage - Izolasyon |
5000Vrms |
|
Pwopòsyon transfè aktyèl (min) |
100% @ 1mA |
|
Pwopòsyon transfè aktyèl (Max) |
- |
|
Limen / Etenn Tan (Tip) |
- |
|
Kalite Antre |
DC |
|
Kalite Sòti |
Tranzistò DC |
|
Voltage - Sòti (Max) |
70V |
|
Kouran - Sòti / Chèn |
150mA |
|
Voltage - Avant (Vf) (Typ) |
1.45V |
|
Aktyèl - DC Forward (Si) (Max) |
- |
|
Tanperati Fonksyònman |
-55 degre ~ 100 degre |
|
Pake / Ka |
DIP6 (7.62mm) |
|
Pake |
Tib |
Aplikasyons:
• CMOS Driven Solid State Reliability
• Detektè bag telefòn
• Izolasyon lojik dijital
Deskripsyon jeneral:
Aparèy H11AG1M a konsiste de yon dyòd dyòd ki emèt Galyòm-Aliminyòm-Arsenid IRED makonnen ak yon fototransistor Silisyòm nan yon pake doub nan liy. Aparèy sa a bay karakteristik inik nan rapò transfè aktyèl segondè nan tou de vòltaj pwodiksyon ki ba ak aktyèl opinyon ki ba. Sa fè li ideyal pou itilize nan sikui lojik ki ba pouvwa, ekipman telekominikasyon ak aplikasyon izolasyon elektwonik pòtab
Baj popilè: h11ag3m, Lachin h11ag3m manifaktirè, founisè
Voye rechèch
Ou ka renmen tou
