H11AG1SR2M

OPTOISO 5KV Trans W/BASE 6SMD

Voye rechèch

Dekri teren

Karakteristik teknik

Pwodwi ki gen rapò:

Mfr Pati	H11AG1SM	H11AG1SR2M	H11AG1SR2VM	H11AG1SVM
Deskripsyon	OPTOCOUPLER, FOTOTRANSISTÈ SOTI	OPTOCOUPLER, FOTOTRANSISTÈ SOTI	OPTOCOUPLER, FOTOTRANSISTÈ SOTI	OPTOCOUPLER, FOTOTRANSISTÈ SOTI
Machandiz	80000	80000	80000	80000
Estati pwodwi	Aktif	Aktif	Aktif	Aktif
Voltage - Izolasyon	5000Vrms	5000Vrms	5000Vrms	5000Vrms
Pwopòsyon transfè aktyèl (min)	300% 25 @ 1mA	300% 25 @ 1mA	300% 25 @ 1mA	300% 25 @ 1mA
Pwopòsyon transfè aktyèl (Max)	-	-	-	-
Limen / Etenn Tan (Tip)	-	-	-	-
Kalite Antre	DC	DC	DC	DC
Kalite Sòti	Tranzistò DC	Tranzistò DC	Tranzistò DC	Tranzistò DC
Voltage - Sòti (Max)	70V	70V	70V	70V
Kouran - Sòti / Chèn	150mA	150mA	150mA	150mA
Voltage - Avant (Vf) (Typ)	1.45V	1.45V	1.45V	1.45V
Aktyèl - DC Forward (Si) (Max)	-	-	-	-
Tanperati Fonksyònman	-55-C ~ 100-C	-55-C ~ 100-C	-55-C ~ 100-C	-55-C ~ 100-C
Pake / Ka	SMD6 (7.62mm)	SMD6 (7.62mm)	SMD6 (7.62mm)	SMD6 (7.62mm)
Pake	Tap & Bobine (TR)	Tap & Bobine (TR)	Tap & Bobine (TR)	Tap & Bobine (TR)

Aplikasyons:

• CMOS Driven Solid Eta Fyab

• Detektè bag telefòn

• Izolasyon lojik dijital

Deskripsyon jeneral:

Aparèy H11AG1M a konsiste de yon dyòd ki emèt Gallium-Aluminium-Arsenide IRED makonnen ak yon fototransistor Silisyòm nan yon pake doub nan liy. Aparèy sa a bay karakteristik inik nan rapò transfè aktyèl segondè nan tou de vòltaj pwodiksyon ki ba ak aktyèl opinyon ki ba. Sa fè li ideyal pou itilize nan sikui lojik ki ba-pouvwa, ekipman tele-kominikasyon ak aplikasyon pou izolasyon elektwonik pòtab.

Baj popilè: h11ag1sr2m, Lachin h11ag1sr2m manifaktirè, Swèd

H11AA4SR2M

Pwochen

H11D1SR2M

Voye rechèch

Ou ka renmen tou