
H11AA2M
Dekri teren
Karakteristik teknik
Pwodwi ki gen rapò:
|
Mfr Part |
H11AA2M |
|
Deskripsyon |
OPTOCOUPLER, FOTOTRANSISTÈ SOTI |
|
Stock |
80000 |
|
Estati pwodwi |
Aktif |
|
Voltage - Izolasyon |
5000Vrms |
|
Pwopòsyon transfè aktyèl (min) |
10% @ 10mA |
|
Pwopòsyon transfè aktyèl (Max) |
400% @ 10mA |
|
Limen / Etenn Tan (Tip) |
10µs,10µs(最大) |
|
Kalite Antre |
AC, DC |
|
Kalite Sòti |
Tranzistò AC/DC |
|
Voltage - Sòti (Max) |
80V |
|
Kouran - Sòti / Chèn |
- |
|
Voltage - Avant (Vf) (Typ) |
- |
|
Kouran - DC Forward (Si) (Max) |
60 mA |
|
Tanperati Fonksyònman |
-55 degre ~ 100 degre |
|
Pake / Ka |
DIP6 (7.62mm) |
|
Pake |
Tib |
Aplikasyons:
• AC Line ki monitè kè bebe
• Unknown Polarite DC Sensor
• Entèfas liy telefòn
Deskripsyon jeneral:
Aparèy H11AA1M ak H11AA4M yo konpoze de de dyòd emisyon enfrawouj galyòm-arsenide ki konekte nan paralèl envès kondwi yon sèl pwodiksyon fototransistor Silisyòm.
Baj popilè: h11aa2m, Lachin h11aa2m manifaktirè, founisè
Voye rechèch
Ou ka renmen tou







