CT4N25
Dekri teren
Karakteristik teknik
Pwodwi ki gen rapò:
|
Mfr Pati |
CT4N25 |
|
Deskripsyon |
OPTOCOUPLER, FOTOTRANSISTÈ SOTI |
|
Machandiz |
80000 |
|
Estati pwodwi |
Aktif |
|
Voltage - Izolasyon |
5000Vrms |
|
Pwopòsyon transfè aktyèl (min) |
20% @ 10mA |
|
Pwopòsyon transfè aktyèl (Max) |
- |
|
Limen / Etenn Tan (Tip) |
3us, 3us |
|
Kalite Antre |
DC |
|
Kalite Sòti |
Tranzistò DC |
|
Voltage - Sòti (Max) |
80V |
|
Kouran - Sòti / Chèn |
|
|
Voltage - Avant (Vf) (Typ) |
1.2V |
|
Kouran - DC Forward (Si) (Max) |
60 mA |
|
Tanperati Fonksyònman |
-55-C ~ 110-C |
|
Pake / Ka |
DIP6 (7.62mm) |
|
Pake |
Tib |
Aplikasyons:
• Chanje mòd ekipman pou pouvwa
• Koòdone periferik òdinatè
• Koòdone sistèm mikro
Deskripsyon jeneral:
Seri 4N25, 4N26, 4N27, 4N28, 4N35, 4N36, 4N37, 4N38, H11A1, H11A2, H11A3, H11A4, H11A5 konsiste de yon foto tranzistò optik makonnen ak yon galyon enfrawouj {2} enfrawouj {2} enfrawouj. DIP pake diferan plon fòme opsyon.
Baj popilè: ct4n25, Lachin ct4n25 manifaktirè yo, founisè
On
CT814Pwochen
EL816(B)-FVoye rechèch
Ou ka renmen tou
