ISO722DR
Dekri teren
Karakteristik teknik
Pwodwi ki gen rapò:
|
Mfr Pati |
ISO722D |
ISO722DG4 |
ISO722DR |
ISO722DRG4 |
|
Deskripsyon |
Izolan dijital |
Izolan dijital |
Izolan dijital |
Izolan dijital |
|
Machandiz |
30000 |
30000 |
30000 |
30000 |
|
Estati pwodwi |
Aktif |
Aktif |
Aktif |
Aktif |
|
Teknoloji |
Kapasitif Couplage |
Kapasitif Couplage |
Kapasitif Couplage |
Kapasitif Couplage |
|
Kalite |
Objektif jeneral |
Objektif jeneral |
Objektif jeneral |
Objektif jeneral |
|
Voltage-Izolasyon |
2.5kVrms |
2.5kVrms |
2.5kVrms |
2.5kVrms |
|
Done Pousantaj |
100Mbps |
100Mbps |
100Mbps |
100Mbps |
|
Pouvwa izole |
Non |
Non |
Non |
Non |
|
Kantite Chanèl |
1 |
1 |
1 |
1 |
|
Antre - Side 1/Side 2 |
1/0 |
1/0 |
1/0 |
1/0 |
|
Kalite chanèl |
Inidireksyon |
Inidireksyon |
Inidireksyon |
Inidireksyon |
|
Iminite tranzitwa mòd komen (min) |
25kV% 2fµs |
25kV% 2fµs |
25kV% 2fµs |
25kV% 2fµs |
|
Reta pwopagasyon tpLH & tpHL (Max) |
24ns, 24ns |
24ns, 24ns |
24ns, 24ns |
24ns, 24ns |
|
Distòsyon lajè batman kè (Max) |
2yèm |
2yèm |
2yèm |
2yèm |
|
Tan leve/tonbe (tip) |
1ns, 1ns |
1ns, 1ns |
1ns, 1ns |
1ns, 1ns |
|
Voltage - Pwovizyon pou |
3 V ~ 5.5 V |
3 V ~ 5.5 V |
3 V ~ 5.5 V |
3 V ~ 5.5 V |
|
Tanperati Fonksyònman |
-40 degre ~ 125 degre |
-40 degre ~ 125 degre |
-40 degre ~ 125 degre |
-40 degre ~ 125 degre |
|
Pake / Ka |
SOP8(3.9x1.27)7.0 |
SOP8(3.9x1.27)7.0 |
SOP8(3.9x1.27)7.0 |
SOP8(3.9x1.27)7.0 |
|
Pake |
Tap & Bobine (TR) |
Tap & Bobine (TR) |
Tap & Bobine (TR) |
Tap & Bobine (TR) |
Aplikasyon:
• Endistriyèl Fieldbus
�% 80� Modbus% e2�� Profibus
– DeviceNet™ Otobis Done yo
- Sistèm distribye entelijan (SDS™)
• Entèfas periferik òdinatè
• Servo kontwòl entèfas
• Akizisyon Done
Deskripsyon:
ISO721, ISO721M, ISO722, ak ISO722M se izolatè dijital ak yon lojik antre ak pwodiksyon tanpon separe pa yon baryè izolasyon diyoksid Silisyòm (SiO2). Baryè sa a bay izolasyon galvanik jiska 4000 VPK pou chak VDE. Itilize ansanm ak ekipman elektrik izole, aparèy sa yo anpeche kouran bri sou yon otobis done oswa lòt sikui antre nan tè lokal la, epi entèfere ak domaje sikwi sansib.
Yon siyal opinyon binè kondisyone, tradui nan yon siyal balanse, Lè sa a, diferansye pa baryè izolasyon kapasitif la. Atravè baryè izolasyon an, yon konparezon diferans resevwa enfòmasyon tranzisyon lojik la, Lè sa a, mete oswa reset yon baskile ak sikwi pwodiksyon an kòmsadwa. Yo voye yon batman aktyalizasyon peryodik atravè baryè a pou asire bon nivo dc pwodiksyon an.
Si sa a dc-refresh batman (venn) pa resevwa pou plis pase 4 μs, D' sipoze pa gen pouvwa oswa non.being aktivman kondwi, ak sikwi failsafe kondui pwodiksyon an nan yon eta lojik-segondè.
Simetri dyelèktrik la ak kondansateur nan sikwi entegre a bay pou konpansasyon kapasitif fèmen, epi li pèmèt chanjman rapid vòltaj pasajè ant teren yo antre ak pwodiksyon san yo pa koripsyon pwodiksyon an. Ti kapasite a ak konstan tan ki lakòz yo bay pou operasyon rapid ak to siyal soti nan {{0}} Mbps (DC) a 100 Mbps pou ISO721 ak aparèy ISO722 yo, ak 0 Mbps a 150 Mbps ak ISO721M ak la. ISO722M aparèy.
Aparèy sa yo mande pou de vòltaj ekipman pou 3.3 V, 5 V, oswa nenpòt konbinezon. Tout antre yo 5-V toleran lè yo apwovizyone nan yon ekipman 3.3-V ak tout soti yo se 4 mA CMOS.
Aparèy ISO722 ak ISO722M yo gen ladann yon pwodiksyon aktif-ba pèmèt ke lè kondwi nan yon nivo lojik segondè, mete pwodiksyon an nan yon eta enpedans segondè epi fèmen sikwi patipri entèn pou konsève pouvwa.
Tou de aparèy ISO721 ak ISO722 yo gen papòt D' TTL ak yon filtè bri nan D 'ki anpeche batman pasan ki rive jiska 2 ns nan dire yo te pase nan pwodiksyon an nan aparèy la.
Aparèy ISO721M ak ISO722M yo gen CMOS VCC / 2 papòt D ', men yo pa gen filtè a bri ak reta pwopagasyon adisyonèl. Karakteristik sa yo nan aparèy ISO721M bay tou pou operasyon redwi-jitter.
Aparèy ISO721, ISO721M, ISO722, ak ISO722M yo karakterize pou operasyon sou ranje tanperati anbyen nan -40 degre a 125 degre.
Baj popilè: iso722dr, Lachin iso722dr manifaktirè yo, founisè
On
ISO722MDRPwochen
ISO7221MDRVoye rechèch
